The samples were deposited on c-Si substrates by glow discharge inH _ 2 and SiCl _ 4 mixture.

  • 样品是在H_ 2和SiCl_4混合气体中用辉光放电方法淀积在晶体硅(c-Si)衬底上的.

  • 互联网摘选 2025-01-20 13:23:06

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