A novel SOI high voltage device structure with a variable low k dielectric layer ( VLkD) is proposed. The buried layer is made up of dielectrics with variable k.

  • 提出了一种可变低k(相对介电常数)介质层(variablelowkdielectriclayer,VLkD)SOI高压器件新结构,该结构的埋层由可变k的不同介质组成。

  • 互联网摘选 2025-02-21 15:31:46

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