Epitaxial layers of InSb and InAs _ xSb _ ( 1-x ) on ( 111 ) InSb and ( 100 ) GaAs substrate have been grown by MBE technique.

  • 在 ( 111 ) InSb和 ( 100 ) GaAs衬底上,用分子束外延技术生长了InSb和InAs_xSb_ ( 1-x ) 外延层.

  • 互联网摘选 2025-01-18 13:41:02

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