An ultra low insertion loss GaAs MMIC RF SPDT switch based on full-ion-implantation technology is reported.

  • 报道了利用离子注入技术研制出一种用于手机的超低插损砷化镓单片射频单刀双掷开关.

  • 互联网摘选 2025-02-27 22:21:15

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